Diodes Inc. DMN2015UFDE-7
$ 0.296
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN2015UFDE-7 | 3.000 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | 31-DMN2015UFDE-7CT-ND | 2.960 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN2015UFDE-7 | 0 | 3K | 13h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN2015UFDE-7 | 0 | 50 | Bulk | 17h | |||||||
| Avnet | DMN2015UFDE-7 | 0 | 3K | 2d |
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Peças relacionadas
Diodes Inc.DMN2016LHAB-7
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Diodes Inc.DMP2018LFK-7
P-Channel 20 V 16 mOhm 113 nC Surface Mount Power Mosfet - UDFN2523-6
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN2015UFDE-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 20V, 10.5A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2015UFDE-7
Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A Automotive 6-Pin DFN EP T/R
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 20V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
660mW(Ta) 12V 1.1V@ 250¦ÌA 45.6nC@ 10 V 1N 20V 11.6m¦¸@ 8.5A,4.5V 10.5A 1.779nF@10V DFN-2020,DFN-2020E-6,UDFN-20206
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time10.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.779 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.03 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max11.6 mΩ
Rise Time16.8 ns
Turn-Off Delay Time43.6 ns
Turn-On Delay Time7.4 ns
Dimensions
Height580 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade