onsemi FDY302NZ
EOL
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Flip Electronics | FDY302NZ | 9.000 | 5d | |||||||||
| element14 APAC | FDY302NZ | 0 | 5 | Cut Tape | 18h | |||||||
| Farnell | FDY302NZ | 0 | 5 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Win Source | WS-FDY302NZ | 40.355 | 55 | 3h | ||||||||
| Classic Components | FDY302NZ | 6.037 | 1d |
Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2009-04-10
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2024-04-06
LTD Date2024-10-06
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Peças relacionadas
NXP SemiconductorsPMR290XN,115
MOSFET, N CH, 20V, 0.29OHM, 970mA, SOT-416-3; Transistor Polarity:N Channel; Con
Diodes Inc.DMN2020LSN-7
DMN2020LSN Series 20V 6.9 A N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SC-59-3
Descrições
Descrições de onsemi FDY302NZ fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 20V, 0.6A, 0.3Ω
Single N-Channel 20 V 0.3 Ohm Specified PowerTrench Mosfet SC-89
This Single N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5V.
MOSFET, N-CH, 20V, 0.6A, SOT-523; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 600mA; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.24ohm; Rds(on) Test Voltage ; Available until stocks are exhausted
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)600 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance60 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation625 mW
Rds On Max300 mΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time8 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height780 µm
Length1.7 mm
Width980 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade