onsemi FDU6N50TU
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-02-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2022-04-01
LTD Date2022-10-01
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
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STMicroelectronicsSTU11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
onsemiFQU6N40CTU
MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK / Trans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Descrições
Descrições de onsemi FDU6N50TU fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 500 V, 6 A, 900 mΩ, IPAK
Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
89W(Tc) 5V@ 250µA 16.6nC@ 10V 1individualNChannel 500V 900mΩ@ 3A,10V 940pF@25V Through hole mounting
Mosfet, N-Ch, 500V, 6A, Ipak; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:6A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:5V; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDU6N50TU
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight343.08 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance900 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance940 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation89 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation89 W
Rds On Max900 mΩ
Rise Time55 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade