STMicroelectronics STU9N60M2
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
VishaySIHU7N60E-GE3
VISHAY SIHU7N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
STMicroelectronicsSTU11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STU9N60M2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.72 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
STU9N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 5.5 A, 650 V, 3-Pin IPAK
N-Channel 600 V 780 mOhm Through Hole Mdmesh II Plus Mosfet - IPAK
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 0.78ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.53%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance780 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance320 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Rds On Max780 mΩ
Rise Time7.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time8.8 ns
Dimensions
Height6.2 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant