onsemi FDT86102LZ

Name: onsemi FDT86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDT86102LZ

N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 6.6A, 28mΩ

$ 0.469

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	08AK6006	554	1		1,430	1,430	0,598	0,425	0,425	1d
Newark	3	FDT86102LZ	3.610	1	Cut Tape	1,430	1,430	0,598	0,598	0,598
Verical	2	FDT86102LZ	1.628	2			0,868	0,766	0,766	0,766
Arrow Electronics	2	FDT86102LZ	1.628	1		1,290	0,868	0,766	0,766	0,766
DigiKey	3	FDT86102LZFSCT-ND	27.708	1	Cut Tape	1,540	0,974	0,647	0,461	0,423

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Cadeia de suprimentos

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2010-11-08

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Detalhes

Descrições

Descrições de onsemi FDT86102LZ fornecidas pelos seus distribuidores.

N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 6.6A, 28mΩ

onsemi

FDT86102LZ Series 100 V 6.6 A 28 mOhm N-Channel PowerTrench® MOSFET - SOT-223

Future Electronics

100V 6.6A 22m´Î@10V6.6A 2.2W 1.4V@250uA 7.5pF@50V N Channel 1.118nF@50V 8.3nC@4.5V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223 MOSFETs ROHS

Dasenic

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and switching loss. G-S zener has been added to enhance ESD voltage level.

Fairchild Semiconductor

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 6.6 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 28 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 2.2 / Rise Time ns = 1.9 / Turn-OFF Delay Time ns = 19 / Turn-ON Delay Time ns = 6.6 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 2.2

Distrelec

Imagens

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

FDT86102LZ-
FDT86102LZ.

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageSOT-223-4

MountSurface Mount

Number of Pins4

Number of Terminals4

Weight250.2 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)6.6 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance28 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time2.2 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.49 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.2 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation1 W

Rds On Max28 mΩ

Rise Time1.9 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage1.4 V

Turn-Off Delay Time19 ns

Turn-On Delay Time6.6 ns

Dimensions

Height1.8 mm

Length3.7 mm

Width6.7 mm

Fichas técnicas e documentos

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Farnell

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Upverter

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Newark

Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Rohs Statement3 páginas5 anos atrás

Reach Statement3 páginas12 anos atrás

Materials Sheet3 páginas12 anos atrás

Reach Statement3 páginas11 anos atrás

Materials Sheet3 páginas11 anos atrás

Reach Statement8 páginas11 anos atrás

Rohs Statement1 páginas12 anos atrás

Rohs Statement1 páginas14 anos atrás

Reach Statement2 páginas13 anos atrás

Rohs StatementN/AN/A