onsemi FDT86113LZ
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | FDT86113LZCT-ND | 25.304 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | FDT86113LZ | 12.000 | 4K | 11h | ||||||||
| Future Electronics | FDT86113LZ | 8.000 | 4K | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | FDT86113LZ | 3 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Master Electronics | FDT86113LZ | 14.945 | 50 |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-03-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiFDT86106LZ
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 / Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
InfineonBSP372NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.8 A, 230 Milliohms, SOT-223, 4 Pins, Surface Mount
InfineonIRFL4310PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID 1.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-20V;-55
Diodes Inc.ZXMN7A11GTA
N-Channel 70 V 0.13 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-223
Descrições
Descrições de onsemi FDT86113LZ fornecidas pelos seus distribuidores.
TRANSISTOR, SINGLE, N-CHANNEL, POWERTRENCH MOSFET, 100V, 3.3A, SOT-223
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
N-Channel 100 V 0.1 ohm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOT-223
MOSFET, N CH, 100V, 3.3A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.7V; Power Dissipation Pd:2.2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Pulse Current Idm:12A; Voltage Vgs th Max:2.5V
This N-Channel logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been special tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G-S zener has been added to enhance ESD voltage level.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223-4
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight250.2 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time1.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance315 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.2 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1 W
Rds On Max100 mΩ
Rise Time1.3 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time3.8 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Length3.7 mm
Width6.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade