onsemi FDT457N
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6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223
SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss)
850 mV
30 V
Continuous Drain Current (ID)
5 A
6.5 A
Threshold Voltage
1.6 V
1 V
Rds On Max
60 mΩ
50 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
16 V
Power Dissipation
3 W
3.3 W
Input Capacitance
235 pF
330 pF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1998-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi FDT457N fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 5A, 60mΩ
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:5A; On Resistance, Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SOT-223 ;RoHS Compliant: Yes
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. These products are well suited to low voltage, low current applications such as notebook computer power management, battery powered circuits, and DC motor control.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight250.2 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Current Rating5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)850 mV
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance235 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation3 W
Rds On Max60 mΩ
Resistance60 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.5 mm
Width3.56 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade