onsemi FDT457N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 5A, 60mΩ
$ 0.339
Production
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DistributorSKUMinPkg
AvnetFDT457N8.0004K
3d
Rochester ElectronicsFDT457N99
18h
DigiKey
3
FDT457NCT-ND9011Cut Tape
Newark
2
FDT457N04KTape & Reel
Onlinecomponents.comFDT457N0100Bulk

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Peças alternativas

Esta peça
Peças alternativas
onsemiFDT457N
STMicroelectronicsSTN4NF03L
Price @ 1000
$ 0.339
$ 0.36
Stock
325,745
2,529,311
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223
SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss)
850 mV
30 V
Continuous Drain Current (ID)
5 A
6.5 A
Threshold Voltage
1.6 V
1 V
Rds On Max
60 mΩ
50 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
16 V
Power Dissipation
3 W
3.3 W
Input Capacitance
235 pF
330 pF

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1998-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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STMicroelectronicsSTN4NF03L
N-Channel 30V - 0.039 Ohm - 4A - SOT-223 STripFET(TM) POWER MOSFET
Detalhes
InfineonIRLL2703TRPBF
Single N-Channel 30 V 0.06 Ohm 9.3 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223
Detalhes
Diodes Inc.DMN3032LE-13
N-Channel 30 V 29 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223
Detalhes

Descrições

Descrições de onsemi FDT457N fornecidas pelos seus distribuidores.

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 5A, 60mΩ
onsemi
3W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 5.9nC@ 5 V 1N 30V 60m¦¸@ 5A,10V 5A 235pF@15V SOT-223-4 6.5mm*3.5mm*1.8mm
UnikeyIC
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:5A; On Resistance, Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SOT-223 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. These products are well suited to low voltage, low current applications such as notebook computer power management, battery powered circuits, and DC motor control.
Fairchild Semiconductor

Imagens

element14
RS
iiiC
Augswan
Farnell
Farnell
element14 APAC
TME
Future Electronics
LZChips
Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • FDT457N.