onsemi FDS4488
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-01-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Descrições
Descrições de onsemi FDS4488 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 30 V 22 O Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC N T/R
30 V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0079A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low inline power loss and fast switching are required.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.9 mA
Current Rating7.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance927 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max22 mΩ
Rise Time7.5 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time7.4 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade