onsemi FDS4480
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-08-30
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF7413PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.011Ohm;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;VF 1
InfineonIRF7805PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 9.2Milliohms;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
Descrições
Descrições de onsemi FDS4480 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 40 V 12 mOhm SMT PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
40V N-Channel PowerTrench® MOSFET, 10.8A, 12mΩ
Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC N T/R
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:10.8A; On Resistance Rds(On):0.008Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.9V Rohs Compliant: Yes
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.8 A
Current Rating10.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.686 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.2 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.2 W
Rds On Max12 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.9 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade