onsemi FDS4470
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-08-30
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2025-01-05
LTD Date2025-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
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Descrições
Descrições de onsemi FDS4470 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 40 V 9 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC / Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 12.5A, 9mΩ
40V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:40V; Continuous Drain Current, Id:12.5A; On Resistance, Rds(on):0.009ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12.5 A
Current Rating12.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance965 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.2 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max24 mΩ
Resistance9 MΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.9 V
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade