onsemi FDN86501LZ
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-05-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrições
Descrições de onsemi FDN86501LZ fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Shielded Gate, 60 V, 2.6 A, 116 mΩ
PT5 100/20V Nch PowerTrench MOSFET - MOLDED PACKAGE, SUPERSOT, 3 LEAD
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
1.5W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 5.4nC@ 10 V 1N 60V 116m¦¸@ 2.6A,10V 2.6A 335pF@30V SOT-23-3 2.92mm*1.4mm*940¦Ìm
N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 2.6A, 150度 C, 1.5W;
Small Signal Field-Effect Transistor
MOSFET, N-CH, 60V, 2.6A, SUPERSOT;
60V 2.6A 89m´Î@10V2.6A 1.5W 1.9V@250uA 4.9pF@30V N Channel 236pF@30V 1.9nC@0~4.5V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SSOT-3 MOSFETs ROHS
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance116 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance335 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation600 mW
Rds On Max116 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time9.6 ns
Turn-On Delay Time4.4 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade