onsemi FDMS8660AS
$ 1.036
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FDMS8660AS | 120.000 | 271 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDMS8660AS | 134.017 | 8h | |||||||||
| Avnet | FDMS8660AS | 0 | 3K | 3d | ||||||||
| Win Source | WS-FDMS8660AS | 7.150 | 115 | 8h | ||||||||
| Worldway Electronics | FDMS8660AS | 11.555 | 7 | Bulk | 8h |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
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Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi FDMS8660AS fornecidas pelos seus distribuidores.
TRANS MOSFET N-CH 30V 28A 8PIN PWR 56
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™
The FDMS8660AS has been designed to minimize losses inpower conversion application. Advancements in both silicon andpackage technologies have been combined to offer the lowestrDS(on) while maintaining excellent switching performance. Thisdevice has the added benefit of an efficient monolithic Schottkybody diode.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.865 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max2.1 mΩ
Resistance2.1 MΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time42 ns
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade