onsemi FDMS8018
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-10-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
InfineonBSC020N03LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
InfineonBSC016N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 / Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
Descrições
Descrições de onsemi FDMS8018 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 30 V 2.5 W 61 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - POWER 56-8
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 175A, 1.8mΩ
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, N-CH, 30V, 175A, 83W, POWER 56; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 175A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs:
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed ang body diode reverse recovery performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance1.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.235 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation83 W
Rds On Max1.8 mΩ
Rise Time7.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5.1 mm
Width6.25 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade