onsemi FDMS86250
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
InfineonBSC190N12NS3GATMA1
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Single N-Channel 150 V 0.045 Ohm Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
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Descrições
Descrições de onsemi FDMS86250 fornecidas pelos seus distribuidores.
PT5 150V/20V Nch Power Trench MOSFET - 8LD,PQFN,JEDEC MO-240 AA,5.0X6.0MM
N-Channel 150 V 25 mO 25 nC Shielded Gate PowerTrench Mosfet - PQFN-8
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 30A, 25mΩ
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 150V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, N-CH, 150V, 30A, PQFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 150V; On Resistance Rds(on): 0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.9V; Powe
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.33 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max25 mΩ
Rise Time4.3 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade