onsemi FDMS86150ET100
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FDMS86150ET100 | 1.079 | 2 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDMS86150ET100 | 3.765 | 1d | |||||||||
| DigiKey | FDMS86150ET100CT-ND | 3.317 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Flip Electronics | FDMS86150ET100 | 1.124 | 7d | |||||||||
| Newark | FDMS86150ET100 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Descrições
Descrições de onsemi FDMS86150ET100 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 128A, 4.85mΩ
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
FDMS86150 Series 100 V 128 A 4.85 mOhm N-Ch PowerTrench MOSFET - PQFN-8
100V 128A 3.9m´Î@10V16A 187W 3V@250uA 29pF@50V N Channel 3.055nF@50V 25nC@0~5V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) Power-56-8 MOSFETs ROHS
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -8.49%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight56.5 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)128 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.065 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation187 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max4.85 mΩ
Rise Time8.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade