onsemi FDMS4435BZ
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FDMS4435BZ | 84 | 2778 | 3d | ||||||||
| Newark | FDMS4435BZ | 373 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | FDMS4435BZ | 1.500 | 930 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDMS4435BZ | 1.500 | 13h | |||||||||
| DigiKey | FDMS4435BZCT-ND | 2.871 | 1 | Cut Tape |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-03-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMP3035LSS-13
P-Channel 30 V 16 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
VishaySI7121DN-T1-GE3
P-Channel 30 V 0.018 Ohm 52 W Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
InfineonIRF7416PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
InfineonIRF7416TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
InfineonIRF7811AVTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 10.8A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
Descrições
Descrições de onsemi FDMS4435BZ fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -18 A, 20 mΩ | MOSFET P-CH 30V 9A POWER56
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -18A, 20mΩ
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, P CH, 30V, 18A, POWER56; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.9V; Power Dissipation Pd:39W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight74 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.05 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation39 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max20 mΩ
Rise Time10 ns
Threshold Voltage-1.9 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade