onsemi FDMS3606AS
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Obsolete
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FDMS3606AS | 7.184 | 11h | |||||||||
| Verical | FDMS3606AS | 6.000 | 228 | |||||||||
| Flip Electronics | FDMS3606AS | 32.260 | >1wk | |||||||||
| Avnet | FDMS3606AS | 0 | 807 | 13h | ||||||||
| Win Source | WS-FDMS3606AS | 2.330 | 45 | 12h |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-04-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2020-11-13
LTD Date2021-05-13
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
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InfineonIRFH7914TRPBF
Single N-Channel 30 V 8.7 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN-5 x 6 mm
Descrições
Descrições de onsemi FDMS3606AS fornecidas pelos seus distribuidores.
Asymmetric Dual N-Channel MOSFET, PowerTrench® Power Stage, 30V
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 60A/148A 8-Pin Power 56 T/R
Avnet Japan
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/27A 8-Pin Power 56 T/R - Tape and Reel
MOSFET, NN CH, ASYMMETRIC, 30V, POWER56; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0058ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:2.2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals7
Weight90 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time3.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.695 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time5.5 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5 mm
Width6 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade