onsemi FDMC8462
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-03-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi FDMC8462 fornecidas pelos seus distribuidores.
TRANSISTOR, N-CHANNEL, POWERTRENCH MOSFET, 40 V, 20 A, 5.8 MOHM, LOW PROFILE
N-Channel Power Trench® MOSFET 40V, 20A, 5.8mΩ
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R / MOSFET N-CH 40V 14A POWER33
PQFN 3.3X3.3,40V,20A,7.1m ohm,NCH POWER TRENCH MOSFET
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench®process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
MOSFET, N CH, 40V, 20A, POWER33; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0047ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:41W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 33; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight32.13 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance5.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.66 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation41 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max5.8 mΩ
Resistance5.8 MΩ
Rise Time4 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.15 mm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade