onsemi FDD8896
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162,497
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Authorized Distributors
6
2
2
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
DPAK
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
-
Continuous Drain Current (ID)
17 A
50 A
50 A
Threshold Voltage
2.5 V
-
-
Rds On Max
5.7 mΩ
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
80 W
125 W
125 W
Input Capacitance
2.525 nF
-
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-11-04
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi FDD8896 fornecidas pelos seus distribuidores.
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,17A I(D),TO-252AA
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 94A, 4.7mΩ
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Current Rating94 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance68 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.525 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation80 W
Rds On Max5.7 mΩ
Resistance5.7 MΩ
Rise Time106 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade