onsemi FDD5N50TM-WS
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-03-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTD5NK50ZT4
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in DPAK package
VishayIRFR430ATRPBF
IRFR430A Series N-Channel 500 V 1.7 Ohm 110 W Power Mosfet - DPAK (TO-252)
Descrições
Descrições de onsemi FDD5N50TM-WS fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 500 V, 4 A, 1.4 Ω, DPAK
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Tendência de 3 meses: -14.29%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance640 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation40 W
Rds On Max1.4 Ω
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade