Vishay IRFR430APBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-12-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTD6NK50ZT4
N-CHANNEL 500V - 0.93͐2;6; - 5.6A DPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET
STMicroelectronicsSTD5NK50ZT4
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in DPAK package
Descrições
Descrições de Vishay IRFR430APBF fornecidas pelos seus distribuidores.
IRFR430A Series 500 V 5 A Surface Mount Power Mosfet - DPAK (TO-252)
Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N, 500V, 5A, D-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 1.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4.5V; Power Diss
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -27.67%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance490 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max1.7 Ω
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4.5 V
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time8.7 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade