onsemi FDD2582
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-09-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFR6215PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.295Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
InfineonIRFR6215TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.295Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
Descrições
Descrições de onsemi FDD2582 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 21A, 66mΩ
N-Channel 150 V 66 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - TO-252AA
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 150V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CH, 150V, 21A, TO-252AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 21A; Drain Source Voltage Vds: 150V; On Resistance Rds(on): 0.058ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Tendência de 3 meses: -5.39%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Current Rating21 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance66 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.295 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation95 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation95 W
Rds On Max66 mΩ
Resistance66 mΩ
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade