onsemi FDC6303N
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMP2033UVT-7
1.2W(Ta) 8V 900mV@ 250¦ÌA 10.4nC@ 4.5 V 1P 20V 65m¦¸@ 4.2A,4.5V 4.2A 845pF@15V TSOT-26
Descrições
Descrições de onsemi FDC6303N fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
Avnet Japan
DIGITAL FET, DUAL N-CHANNEL Small Signal Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, DUAL, N, SMD, SUPERSOT-6; Transistor Polarity:N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:800mV; Power Dissipation Pd:900mW; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Continuous Drain Current Id:680mA; Current Id Max:680mA; Drain Source Voltage Vds:25V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):450mohm; Package / Case:SuperSOT-6; Power Dissipation Pd:900mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:800mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this one N-Channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMHxA series.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)680 mA
Current Rating680 mA
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Dual Supply Voltage25 V
Element ConfigurationDual
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance50 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs800 mV
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation700 mW
Rds On Max450 mΩ
Resistance450 mΩ
Rise Time8.5 ns
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage800 mV
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.7 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade