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Tendência de 3 meses: Restocked
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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FDB2670.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-03-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Peças relacionadas
VishayIRF644STRLPBF
3.1W(Ta),125W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 68nC@ 10 V 1N 250V 280m¦¸@ 8.4A,10V 14A 1.3nF@25V D2PAK,TO-263
Descrições
Descrições de onsemi FDB2670 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
200V N-Channel PowerTrench MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFETs 200V N-Channel Pwr Trench
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:19A; On Resistance, Rds(on):130mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Current Rating19 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.32 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation93 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation93 W
Rds On Max130 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FDB2670.
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade