onsemi ECH8693R-TL-W
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiECH8695R-TL-W
Dual N-Channel Power MOSFET for 1-2 Cells Lithium-ion Battery Protection, 24V, 11 A, 9.1 mO
VishaySI5513CDC-T1-GE3
Dual N&P-Channel 20 V 0.055/0.15 O Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8
VishaySI5457DC-T1-GE3
Single P-Channel 20 V 36 mO 38 nC Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8
Descrições
Descrições de onsemi ECH8693R-TL-W fornecidas pelos seus distribuidores.
Dual N-Channel Power MOSFET for 1-2 Cells Lithium-ion Battery Protection 24V, 14A, 7mO
Dual N-Channel Power MOSFET, 24V, 14A, 7mΩ
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 24V 14A 8-Pin SOT-28FL T/R
Avnet Japan
MOSFET, DUAL N-CH, 24V, 14A, SOT-28FL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:24V; On Resistance Rds(on):0.0056ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -52.26%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage24 V
Drain to Source Resistance9.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)24 V
Fall Time22.2 µs
Gate to Source Voltage (Vgs)12.5 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage24 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.4 W
Rds On Max7 mΩ
Rise Time525 ns
Turn-Off Delay Time18.65 µs
Turn-On Delay Time545 ns
Dimensions
Height950 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade