onsemi DTC114TET1G
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Mount
-
Surface Mount
Case/Package
SOT-416-3
-
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
hFE Min
160
160
Power Dissipation
200 mW
200 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiSDTC114YET1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi DTC114TET1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistors (BJT); DTC114TET1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 50 V; 100 mA
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
DTC114TET1G NPN DIGITAL TRANSISTOR,100 MA 50V 10 KOHMS, RATIO OF NONE,3-PIN SC-75
NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
DTC114T Series 50V 100mA 300mW Surface Mount NPN Digital Transistor - SC-75
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
onsemi NPNdigital transistor, SOT-416 (SC-75)encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current100 mA, maximum collector-emission voltage50 V
Transistor Polarity:Single Npn; Collector Emitter Voltage Max Npn:50V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:-; Continuous Collector Current:100Ma; Base Input Resistor R1:10Kohm; Base Emitter Resistor R2:-; No. Of Pins:3 Pin Rohs Compliant: Yes |Onsemi DTC114TET1G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-416-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min160
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height800 µm
Length1.65 mm
Width900 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade