onsemi BUD42D-1G
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$ 0.439
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Stock
95,251
244,704
244,704
Authorized Distributors
2
3
3
Mount
-
-
-
Case/Package
TO-251
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
350 V
350 V
350 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
200 mV
200 mV
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
25 W
-
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2012-03-31
LTD Date2012-09-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi BUD42D-1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Tube Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 10 @ 2A 5V 100muA 25W 650V
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
High Speed, High Gain NPN Bipolar Power Transistor
Trans GP BJT NPN 350V 4A 25000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
The BUD42D is a state-of-the-art bipolar transistor. Tight dynamic characteristics and lot to lot minimum spread make it ideally suitable for light ballast applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)650 V
Collector Emitter Breakdown Voltage350 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)350 V
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
hFE Min10
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation25 W
Voltage Rating (DC)350 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade