onsemi BDX54CG
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Stock
269,062
1,426,424
Authorized Distributors
3
6
Mount
-
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
100 V
Max Collector Current
8 A
8 A
Transition Frequency
20 MHz
20 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
hFE Min
750
750
Power Dissipation
65 W
60 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi BDX54CG fornecidas pelos seus distribuidores.
8.0 A, 100 V, 65 W PNP Darlington Bipolar Power Transistor
BDX54C Series 100 V 8 A 65 W PNP General Purpose Transistor - TO-220AB
PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ON SEMI BDX54CG PNP DARLINGTON TRANSISTOR, 8 A 100 V HFE:750, 3-PIN TO-220AB
Trans Darlington PNP 100V 8A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Transistor Polarity:pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:100V; Dc Collector Current:8A; Power Dissipation Pd:60W; Transistor Mounting:through Hole; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency Ft:-; Dc Current Gain Hfe:750Hfe; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 8 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 100 / DC Current Gain (hFE) = 750 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 100 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Power Dissipation (Pd) W = 65 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 4 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) V = 2.5 / Reflow Temperature Max. °C = 260
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating-8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min750
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation65 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency20 MHz
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.53 mm
Width4.83 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade