onsemi BD809G
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Stock
1,905,073
87,727
Authorized Distributors
3
1
Mount
-
-
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
-
Max Collector Current
10 A
10 A
Transition Frequency
1.5 MHz
1.5 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.1 V
1.1 V
hFE Min
15
15
Power Dissipation
90 W
90 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Descrições
Descrições de onsemi BD809G fornecidas pelos seus distribuidores.
TRANS NPN 80V 10A TO220 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A 1.5MHz 90 W Through Hole TO-220
ON SEMI BD809G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 10 A, 80 V, 3-PIN TO-220
BD809 Series 80 V 10 A NPN Plastic High Power Silicon Transistor - TO-220
High Power NPN Bipolar Transistor
BIPOLAR Transistor, NPN, 80V TO-220; TRA; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V;
Trans GP BJT NPN 80V 10A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Transistors Bipolar- General Purpose 10A, 80V, 90W NPN
1mA 80V 90W 10A 15@4A2V 1.5MHz 1.1V@3A300mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
onsemi NPNTransistor, TO-220encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current10 A, maximum collector-emission voltage80 V
Trans, Bipol, Npn, 80V, To-220; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:80V; Transition Frequency Ft:1.5Mhz; Power Dissipation Pd:90W; Dc Collector Current:10A; Dc Current Gain Hfe:15Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Onsemi BD809G
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency1.5 MHz
Gain Bandwidth Product1.5 MHz
hFE Min15
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current10 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation90 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency1.5 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.28 mm
Width4.82 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade