onsemi BD682S
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Authorized Distributors
5
3
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-126
TO-126
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
4 A
4 A
Transition Frequency
3 MHz
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
-
hFE Min
750
750
Power Dissipation
-
40 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Peças relacionadas
onsemiKSA1220YSTU
Tube Through Hole PNP KSA1220 Bipolar (BJT) Transistor 160 @ 300mA 5V 1.2A 1.2W 175MHz
Descrições
Descrições de onsemi BD682S fornecidas pelos seus distribuidores.
4.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2.5V@ 30mA,1.5A PNP - Darlington 14W 5V 500¦ÌA 100V 100V 4A TO-126-3 8mm*3.25mm*11mm
PNP Epitaxial Silicon Transistor Product Highlights: Medium Power Darlington TR Complement to BD675A, BD677A, BD679A and BD681 respectively
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current-4 A
Current Rating-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
hFE Min750
Max Breakdown Voltage22 V
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height11 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade