onsemi BD435STU
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376,749
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1
4
4
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-126
TO-126
TO-126
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
32 V
32 V
32 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
200 mV
200 mV
hFE Min
50
50
50
Power Dissipation
36 W
36 W
36 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi BD435STU fornecidas pelos seus distribuidores.
6.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
Medium Power NPN Bipolar Power Transistor
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT NPN 32V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:32V; Transition Frequency Typ, ft:3MHz; Power Dissipation, Pd:36W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain Max (hfe):50; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight760.986249 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)32 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Current4 A
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min50
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation36 W
Transition Frequency3 MHz
Voltage32 V
Voltage Rating (DC)32 V
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade