onsemi BCW66GLT3G
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Ficha técnica oficial19 anos atrás
Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | 3D | Baixar | |
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Stock
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3,904,931
3,904,931
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
800 mA
800 mA
800 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
700 mV
700 mV
hFE Min
60
60
60
Power Dissipation
300 mW
300 mW
300 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-04-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Descrições
Descrições de onsemi BCW66GLT3G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 800mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
ON SEMI BCW66GLT3G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 1.2 A, 45 V, 3-PIN SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
NPN Transistor 700mV@50mA 500mA 300mW 5V 20nA 75V 45V 800mA SOT-23-3, TO-236 SMD 2.9mm × 1.3mm × 940μm
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
45V 225mW 800mA 160@100mA1V 100MHz 250mV@100mA5mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)75 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min60
Max Collector Current800 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width2.64 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade