onsemi BCW33LT3G
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Stock
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
32 V
32 V
32 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
250 mV
hFE Min
420
420
420
Power Dissipation
300 mW
300 mW
300 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 14 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
Descrições
Descrições de onsemi BCW33LT3G fornecidas pelos seus distribuidores.
NPN 32 V 100 mA 0.1 MHz 300 mW Surface Mount Bipolar (BJT) Transistor - SOT-23-3
ON SEMI BCW33LT3G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 32 V, 3-PIN SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
onsemi NPN Transistor, SOT-23, SMD, 100mA Ic, 32V Vce
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
32V 225mW 100mA 420@2mA5V 250mV@10mA500Ã×A NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Trans Bjt Single, Npn, 32V, 100Ma; |Onsemi BCW33LT3G
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)32 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min420
Max Collector Current100 mA
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Voltage Rating (DC)32 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width2.64 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade