onsemi BCP56-10T1G

Name: onsemi BCP56-10T1G
Brand: onsemi
SKU: BCP56-10T1G

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Surface Mount

$ 0.173

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	26K3371	1.216	1		0,268	0,268	0,268	0,268	0,268	1d
Newark	3	BCP56-10T1G	1.216	1	Cut Tape	0,048	0,048	0,048	0,048	0,048
Arrow Electronics	2	BCP56-10T1G	32	1		0,175	0,174	0,174	0,174	0,174
Verical		BCP56-10T1G	3.000	1K					0,172	0,158
DigiKey	2	BCP56-10T1GOSCT-ND	547	1	Cut Tape	0,700	0,434	0,278	0,211	0,211

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onsemiBCP56-10T1G

onsemiBCP56-10T3G

Price @ 1000

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Stock

1,516,337

184,989

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-223-4

TO-261-4

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

80 V

Max Collector Current

1 A

Transition Frequency

130 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

500 mV

hFE Min

Power Dissipation

1.5 W

Cadeia de suprimentos

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, MEDIUM POWER, VCEO 80VDC, IC 1A, PD 1.5W, SOT-223,HFE 25

Detalhes

Descrições

Descrições de onsemi BCP56-10T1G fornecidas pelos seus distribuidores.

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Surface Mount

Avnet Silica

80V 1.5W 63@150mA,2V 1A NPN SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / TRANS NPN 80V 1A SOT-223

Win Source

1.0 A, 80 V NPN Bipolar Junction Transistor hFE = 63 to 160

onsemi

ON SEMI BCP56-10T1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 1 A, 80 V SOT-223

RS (Formerly Allied Electronics)

BCP Series 80 V 1.5 A Surface Mount NPN Silicon Epitaxial Transistor - SOT-223

Future Electronics

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin

Semicontronic

General Purpose Transistors NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=1.5W SOT223

HQonline

Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:80V; Continuous Collector Current:1A; Power Dissipation:1.5W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:4Pins; Transition Frequency:130Mhz; Dc Current Gain Hfe Min:63Hfe Rohs Compliant: Yes |Onsemi BCP56-10T1G.

Newark

These NPN Silicon Epitaxial transistors are designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface mount applications.

North Star Micro

Imagens

Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

BCP56-10 T1G
BCP56-10-T1G
BCP56-10T1G.

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Peças alternativas

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageSOT-223-4

Contact PlatingTin

Number of Pins4

Number of Terminals4

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)100 V

Collector Emitter Breakdown Voltage80 V

Collector Emitter Saturation Voltage500 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V

Current Rating1 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

Frequency130 MHz

Gain Bandwidth Product130 MHz

hFE Min63

Max Breakdown Voltage80 V

Max Collector Current1 A

Max Frequency130 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.5 W

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation1.5 W

Schedule B8541290080

Transition Frequency130 MHz

Voltage Rating (DC)80 V

Dimensions

Height1.65 mm

Length6.7 mm

Width3.7 mm

Fichas técnicas e documentos

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Newark

Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Rohs Statement3 páginas5 anos atrás

Reach Statement8 páginas11 anos atrás

Rohs StatementN/AN/A