onsemi BC858BMTF
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2
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
150 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
-650 mV
-650 mV
hFE Min
200
220
220
Power Dissipation
310 mW
-
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-04-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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Diodes Inc.BC858A-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi BC858BMTF fornecidas pelos seus distribuidores.
BC858 Series 30 V CE Breakdown .1 A PNP Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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BC858BMTF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation310 mW
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height930 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade