onsemi BC856ALT1G
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6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
-65 V
-65 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
650 mV
650 mV
hFE Min
125
125
125
Power Dissipation
300 mW
250 mW
250 mW
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
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Diodes Inc.DDTA114ECA-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Diodes Inc.DDTA114YCA-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi BC856ALT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
ON Semi BC856ALT1G PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 3-Pin SOT-23
Bipolar Transistors (BJT); BC856ALT1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 65 V; 100 mA
65V 300mW 125@2mA,5V 100mA PNP SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
BC Series 65 V 100 mA SMT PNP Silicon General Purpose Transistor - SOT-23
onsemi PNP Transistor SOT-23 SMD Ic=-100mA Vceo=-65V
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Transistor PNP 65V 100mA hfe125 SOT23
RS APAC
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -65V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 100hFE; Transistor C
Bipolar Transistor, Pnp -65V Sot-23, Full Reel; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:65V; Continuous Collector Current:100Ma; Power Dissipation:300Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi BC856ALT1G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min125
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-65 V
Dimensions
Height940 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade