onsemi BC848BWT1G

Name: onsemi BC848BWT1G
Brand: onsemi
SKU: BC848BWT1G

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

$ 0.034

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		BC848BWT1G	4.815	5			0,088	0,057	0,038	0,035
Verical	3	BC848BWT1G	111.000	24391
Arrow Electronics		BC848BWT1G	38.180	1		0,027	0,016	0,010	0,006	0,005
Rochester Electronics		BC848BWT1G	240.000					0,017	0,014	0,012	14h
DigiKey	3	BC848BWT1GOSCT-ND	450	1	Cut Tape	0,140	0,088	0,054	0,034	0,034

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Datasheet13 páginas11 anos atrás

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IHS

onsemi

Newark

iiiC

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Descrições

Descrições de onsemi BC848BWT1G fornecidas pelos seus distribuidores.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

IHS

ON SEMI BC848BWT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 30 V, 3-PIN SC-70

RS (Formerly Allied Electronics)

ON SEMICONDUCTOR - BC848BWT1G - RF TRANSISTOR, NPN, 30V, 100MHZ, SOT-323, FULL REEL

Jak Electronics

Bipolar - Rf Transistor, Npn, 30 V, 100 Mhz, 150 Mw, 100 Ma, 200 Rohs Compliant: Yes |Onsemi BC848BWT1G

Newark

BC Series 65 V 100 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-323

Future Electronics

NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-323/SC-70 which is designed for low power surface mount applications.

North Star Micro

TRANS, NPN, 30V, 0.1A, 150DEG C, 0.15W; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 200hFE; RF Transistor Case: SC-70; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min: -55°C; Transistor Case Style: SOT-323

Farnell

Imagens

Augswan

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

LZChips

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Peças alternativas

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageSC

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)30 V

Collector Emitter Breakdown Voltage30 V

Collector Emitter Saturation Voltage600 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V

Current Rating100 mA

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

Frequency100 MHz

Gain Bandwidth Product100 MHz

hFE Min200

Max Breakdown Voltage30 V

Max Collector Current100 mA

Max Frequency100 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation200 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation150 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency100 MHz

Voltage Rating (DC)30 V

Dimensions

Height900 µm

Length2.2 mm

Width1.35 mm

Fichas técnicas e documentos

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Master Electronics

Datasheet13 páginas11 anos atrás

Datasheet14 páginashá 1 anos

IHS

onsemi

Newark

iiiC

Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Rohs Statement3 páginas5 anos atrás

Reach Statement8 páginas11 anos atrás

Rohs StatementN/AN/A