onsemi BC848BLT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | BC848BLT1G | 9.000 | 50K | 7h | ||||||||
| Newark | BC848BLT1G | 43.746 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | BC848BLT1G | 6.000 | 6K | |||||||||
| Arrow Electronics | BC848BLT1G | 11.000 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | BC848BLT1G | 18.000 | 3K | Tape & Reel |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Stock
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4,677,932
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
-
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Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
-
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Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
600 mV
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
300 mW
-
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi BC848BLT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
ON SEMI BC848BLT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 30 V, 3-PIN SOT-23
Bipolar Transistors (BJT); BC848BLT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 30 V; 100 mA
30V 300mW 200@2mA,5V 100mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
BC848BLT1G Series NPN 30 V 100 mA SMT General Purpose Transistor - SOT-23
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Transistor NPN 30V 100mA hfe200 SOT23
TRANSISTOR, NPN, 30V, 100MA, SOT-23-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 300mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 200hFE;
Bipolar Transistor, Npn, 30V Sot-23, Full Reel; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:30V; Continuous Collector Current:100Ma; Power Dissipation:300Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi BC848BLT1G.
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 30 / DC Current Gain (hFE) = 290 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 30 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 100 / Power Dissipation (Pd) mW = 225 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 600 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) mV = 900 / Reflow Temperature Max. °C = 260
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Noise Figure10 dB
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
TypeGeneral Purpose
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height940 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade