onsemi BC847BDW1T1G
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| Future Electronics | BC847BDW1T1G | 150.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | 06R3467 | 16.867 | 1 | 20h | ||||||||
| Newark | BC847BDW1T1G | 16.867 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | BC847BDW1T1G | 96.000 | 16305 | |||||||||
| Arrow Electronics | BC847BDW1T1G | 41.893 | 1 |
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6
6
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-
-
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Case/Package
SOT-363-6
SOT-363-6
SOT-363-6
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
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Max Collector Current
100 mA
100 mA
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Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
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Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
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hFE Min
200
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Power Dissipation
380 mW
380 mW
380 mW
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Bipolar Transistors (BJT); BC847CDW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 6; 45 V; 100 mA
Descrições
Descrições de onsemi BC847BDW1T1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistors (BJT); BC847BDW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 6; 45 V; 100 mA
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These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is designed for low power surface mount applications.
Bipolar Transistor, Npn, Dual, 45V, Sot363, Full Reel; Transistor, Polaridad:Npn Doble; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:45V; Disipación De Potencia Pd:380Mw; Corriente De Colector Dc:100Ma; Ganancia De Corriente Dc Hfe:450 |Onsemi BC847BDW1T1G
TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MA, SOT-363-6; Transistor Polarity: Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Power Dissipation Pd: 380mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transistor Case Style: SOT-
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation380 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation380 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Dimensions
Height900 µm
Length2 mm
Width1.25 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade