onsemi BC846BLT3G
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6
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Mount
-
-
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Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
65 V
65 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
600 mV
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
225 mW
300 mW
300 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Diodes Inc.DDTC114ECA-7-F
DDTC114CA Series NPN 50 V 100 mA Digital Transistor Surface Mount - SOT-23-3
Diodes Inc.DDTC114WCA-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi BC846BLT3G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
ON SEMI BC846BLT3G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 65 V, 3-PIN SOT-23
65V 225mW 100mA NPN SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
BC Series 65 V 100 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-23
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 65V, SOT-23-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 65V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 200hFE;
TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:65V; Continuous Collector Current:100mA; Power Dissipation:225mW; Transistor Mounting:Surface Mount; No. of Pins:3Pins; Product Range:- RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)65 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade