onsemi BC807-16LT1G
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6
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Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
-700 mV
-700 mV
hFE Min
100
60
60
Power Dissipation
300 mW
310 mW
310 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Diodes Inc.DDTB113ZC-7-F
DDTB Series PNP 40 V 500 mA Pre-Biased Surface Mount Transistor - SOT-23-3
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DDTBxx Series 50 V 500 mA PNP Small Signal Surface Mount Transistor - SOT-23-3
Descrições
Descrições de onsemi BC807-16LT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
Bipolar Transistors (BJT); BC807-16LT1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 45 V; 500 mA
45V 300mW 100@100mA,1V 500mA PNP SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
General Purpose Transistors PNP Ic=500mA Vceo=45V hfe=100~250 P=300mW SOT23
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -45V, SOT-23; T; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -45V, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector
TRANSISTOR, PNP, -45V, -500MA, SOT-23-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 500 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 45 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 50 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 100 / Power Dissipation (Pd) mW = 225 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 700 / Reflow Temperature Max. °C = 260
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
TypeGeneral Purpose
Dimensions
Height940 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade