onsemi BC33725TFR
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6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
800 mA
800 mA
800 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
700 mV
700 mV
hFE Min
160
160
160
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-08-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi BC33725TFR fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin TO-92 T/R
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
45V 625mW 800mA 160@100mA1V 100MHz 700mV@500mA50mA NPN +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from Process 12. See TN3019A for characteristics.
Transistor, Bipolar, Npn, 45V, 0.8A/To92; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:45V; Continuous Collector Current:800Ma; Power Dissipation:625Mw; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:3Pins; Qualification:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi BC33725TFR
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)10 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min160
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current800 mA
Max Frequency50 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade