onsemi BC33716TA
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6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
800 mA
800 mA
800 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
700 mV
700 mV
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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onsemiKSD1616LBU
Bulk Through Hole NPN KSD1616 Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100mA 2V 1A 750mW 160MHz
Descrições
Descrições de onsemi BC33716TA fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC337 Series 45 V CE Breakdown .8 A NPN Epitaxial Silicon Transistor TO-92
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
45V 625mW 800mA 100@100mA1V 100MHz 700mV@500mA50mA NPN +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, TO-92-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 625mW; DC Collector Current: 800mA; DC Current Gain hFE: 60hFE; Tr
This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from Process 12. See TN3019A for characteristics.
RF Bipolar Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:45V; Package/Case:D2-PAK; DC Current Gain Min (hfe):100; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)10 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current800 mA
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade