onsemi BC237BZL1G
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Stock
16,510
94,056
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Authorized Distributors
1
4
4
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
200 MHz
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
200 mV
200 mV
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
-
-
-
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2006-12-31
LTD Date2007-06-30
Peças relacionadas
onsemiBC182BRL1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
Descrições
Descrições de onsemi BC237BZL1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Tape & Box (TB) Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 2mA 5V 15nA 350mW 200MHz
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
TRANS NPN 45V 100MA TO92-3
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min200
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Declarações de conformidade