onsemi 2SA1962RTU
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5
5
5
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
-
TO-264
TO-264
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
250 V
-250 V
-250 V
Max Collector Current
17 A
17 A
17 A
Transition Frequency
30 MHz
30 MHz
30 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-
-400 mV
-400 mV
hFE Min
55
55
55
Power Dissipation
130 W
150 W
150 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-04-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2023-03-30
LTD Date2023-09-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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ToshibaTTA1943(Q)
TRANS PNP 230V 15A TO-3PL / Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
Toshiba2SA1943N(S1,E,S)
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 3 Pin
Descrições
Descrições de onsemi 2SA1962RTU fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
PNP Epitaxial Silicon Transistor
3V@ 800mA,8A PNP 130W 5V 5¦ÌA 250V 250V 17A TO-3P 15.6mm*4.8mm*19.9mm
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 17A, 2
2SA1962 - POWER BIPOLAR TRANSIST
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-250 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min55
Max Collector Current17 A
Max Frequency30 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation130 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency30 MHz
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade