onsemi 2N6517BU
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Authorized Distributors
5
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
350 V
350 V
350 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
40 MHz
40 MHz
40 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
15
15
15
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Peças relacionadas
NXP SemiconductorsPHE13003A,126
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descrições
Descrições de onsemi 2N6517BU fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N6517 Series 350 V 0.5 A 625 mW NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
Transistor 2N6517 NPN General Purpose Amplifier 350Volt TO-92
NPN Transistor 350V 500mA 625mW TO-92-3 TH 4.7mm × 3.93mm × 4.7mm
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Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight179 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)350 V
Collector Emitter Breakdown Voltage350 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)350 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min15
Max Collector Current500 mA
Max Frequency200 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency40 MHz
Voltage Rating (DC)350 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade