onsemi 2N5551TFR
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Stock
501,815
761,752
761,752
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
160 V
160 V
160 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
200 mV
200 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi 2N5551TFR fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
2N5551 Series 160 V CE Breakdown 0.6 A NPN General Purpose Amplifier - TO-92
200mV@ 5mA,50mA NPN 625mW 6V 50nA 180V 160V 600mA TO-92-3 4.7mm*3.93mm*4.7mm
NPN General-Purpose Amplifier | TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
NPN General-Purpose Amplifier VCEO=160V VEBO=6V IC=600mA TO92-3
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)180 V
Collector Emitter Breakdown Voltage160 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage160 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)160 V
Dimensions
Height8.77 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade