onsemi 2N5550TFR
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
140 V
140 V
140 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
250 mV
hFE Min
20
20
20
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemi2N5550RLRP
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Descrições
Descrições de onsemi 2N5550TFR fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Transistor, bjt, npn,140V V(Br)Ceo,600Ma I(C),to-92 Rohs Compliant: Yes |Onsemi 2N5550TFR
2N5550 Series 140 V 600 mA NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
Transistor 2N5550 NPN General Purpose Amplifier TO-92
140V 625mW 600mA 60@10mA5V 100MHz 250mV@50mA5mA NPN +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)160 V
Collector Emitter Breakdown Voltage140 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)140 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage140 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)140 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade