onsemi 2N3906TFR
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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859,344
818,209
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-40 V
-40 V
-40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-400 mV
-400 mV
-400 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi 2N3906TFR fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor General Purpose BJT PNP 40 Volt 0.2 Amp 3-Pin TO-92 Tape and Reel
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
200 mA, 40 V PNP Small Signal Bipolar Junction Transistor
2N3906 Series 40 V CE Breakdown 0.2 A PNP General Purpose Amplifier - TO-92
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
40V 625mW 200mA 100@10mA1V 250MHz 400mV@50mA5mA PNP -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
This device is designed for general purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 µA to 100 mA.
TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-92; Transistor; TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:250MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:100
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-40 V
Collector Emitter Saturation Voltage-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating-200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency250 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade