NXP Semiconductors MRFE6VP5600HSR5
$ 206.071
EOL
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date2010-12-14
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
Peças relacionadas
NXP SemiconductorsMRFE6VP6300HR5
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 300 W, Typ Gain in dB is 25 @ 130 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
NXP SemiconductorsMRFE6VP6300HR3
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 300 W, Typ Gain in dB is 25 @ 130 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
NXP SemiconductorsMRFE6VP6300HSR3
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
VishayIRLL110TRPBF
IRLL110TRPBF N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.5 A, 100 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
VishayIRLR110PBF
Mosfet; Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.54 Ohm; Id 4.3A; TO-252AA; Pd 25W; Vgs +/-10V
Descrições
Descrições de NXP Semiconductors MRFE6VP5600HSR5 fornecidas pelos seus distribuidores.
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 600 W, Typ Gain in dB is 24.6 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1829
Transistor RF FET N-CH 130V 1.8MHz to 600MHz 4-Pin NI-1230S T/R
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375E-04 T/R
RF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230HS
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
Nomes alternativos do fabricante
NXP Semiconductors possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. NXP Semiconductors também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Body MaterialCeramic
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals4
Weight8.488386 g
Technical
Drain to Source Voltage (Vdss)130 V
Frequency230 MHz
Gain25 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Max Operating Temperature225 °C
Max Power Dissipation1.67 kW
Min Breakdown Voltage130 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
Output Power600 W
Test Current100 mA
Test Voltage50 V
Voltage Rating130 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade